瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体
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瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体
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瑞萨电子推出了其首款面向AI数据中心、人形机器人等领域的100V增强型氮化镓分立功率晶体管。 该产品宣称其硬开关和软开关性能指标（FOM）较之前产品有显著降低，并保持了与硅器件兼容的封装尺寸。这是瑞萨首次将氮化镓技术扩展至低压领域。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域报道时间线
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10月6日
- IT之家瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管，适用于 AI 数据中心、人形机器人等场景。该产品硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%，且保持与硅器件兼容的封装尺寸，无需大幅修改 PCB 设计即可迁移。这是瑞萨首次将 GaN 技术扩展至低压领域，此前其 GaN 产品基于收购的 Transphorm 耗尽型技术。
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