瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域

瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管，适用于 AI 数据中心、人形机器人等场景。该产品硬开关 FOM 最高降低 35%，软开关 FOM 最高降低 63%，且保持与硅器件兼容的封装尺寸，无需大幅修改 PCB 设计即可迁移。这是瑞萨首次将 GaN 技术扩展至低压领域，此前其 GaN 产品基于收购的 Transphorm 耗尽型技术。