特斯拉发布AI加速器路线图，SI6性能提升80倍
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特斯拉发布AI加速器路线图，SI6性能提升80倍
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AI 综述
特斯拉披露了修订后的AI加速器路线图，其第六代推理芯片SI6性能预计较当前SI4提升80倍，第三代Dojo训练芯片D3将转向多芯片堆叠设计。 SI6预计在2029-2030年推出，采用2nm工艺和MCM封装，内存达144GB。D3将采用2.5D+3D封装和堆叠HBM架构，不再以SRAM为中心，旨在优化空间、训练和扩展性，部分型号可能支持太空部署。
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最新进展11月6日 20:00
特斯拉发布AI加速器路线图，SI6推理芯片性能提升80倍，D3训练芯片转向HBM架构报道时间线
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11月6日
- Tom's Hardware特斯拉发布AI加速器路线图，SI6推理芯片性能提升80倍，D3训练芯片转向HBM架构
特斯拉披露其AI加速器路线图，SI6推理芯片预计在2029-2030年推出，性能较当前SI4提升80倍，采用2nm工艺和MCM封装，内存达144GB；D3训练芯片转向多芯片堆叠设计，采用2.5D+3D封装和堆叠HBM，不再使用SRAM为中心的架构，优化空间、训练和扩展性，部分型号可能支持太空部署。
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