ASML与蔡司称Hyper NA EUV光刻机面临景深挑战
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ASML与蔡司称Hyper NA EUV光刻机面临景深挑战
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AI 综述
ASML与蔡司发布研究文章称，数值孔径≥0.75的Hyper NA EUV光刻机预计可在约10年内面世，支持5nm半间距的光学分辨率。 文章指出，该技术当前面临的主要挑战是更低的可用景深，需要改进光刻胶厚度、聚焦控制和晶圆平整工艺。 ASML与蔡司表示，0.75 NA光学系统的体积仅略大于现有的High NA EUV系统，且掩膜基础和光源系统可以复用。
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最新进展10月9日 10:29
ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深报道时间线
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10月9日
- IT之家ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深
ASML 与蔡司指出，Hyper NA EUV 光刻机数值孔径≥0.75，可支持 5nm 半间距光学分辨率，预计 10 年内面世。其技术挑战集中在更低的可用景深，需改进光刻胶厚度、扫描设备聚焦控制及晶圆平整工艺。0.75 NA 光学系统体积仅略大于现有 High NA EUV，且掩膜基础和光源系统可复用。
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