ASML & 蔡司：未来 Hyper NA EUV 光刻机主要挑战为更低的可用景深

ASML 与蔡司指出，Hyper NA EUV 光刻机数值孔径≥0.75，可支持 5nm 半间距光学分辨率，预计 10 年内面世。其技术挑战集中在更低的可用景深，需改进光刻胶厚度、扫描设备聚焦控制及晶圆平整工艺。0.75 NA 光学系统体积仅略大于现有 High NA EUV，且掩膜基础和光源系统可复用。