美光预告超400层G11 NAND闪存，计划2027年下半年量产
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美光预告超400层G11 NAND闪存，计划2027年下半年量产
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美光预告其下一代G11 NAND闪存技术，计划于2027年下半年产能爬坡。该技术采用晶圆对晶圆键合，实现超过400层堆叠，存储密度是现有G9 NAND的2倍，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上。 美光称G11 NAND将支持AI数据中心应用，包括针对GPU直连IOPS的SLC优化设计和带宽优化设计。
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最新进展10月22日 10:05
美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡报道时间线
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10月22日
- IT之家美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
美光预告其 G11 NAND 闪存将于 2027 年下半年产能爬坡，采用晶圆对晶圆键合技术实现超过 400 层堆叠，存储密度是现有 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率最高提升 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。该产品将支持 AI-class 数据中心应用，包括基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化设计和类似 HBF 的带宽优化设计。美光还展示了其 AI 优化存储解决方案。
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