美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光预告其 G11 NAND 闪存将于 2027 年下半年产能爬坡，采用晶圆对晶圆键合技术实现超过 400 层堆叠，存储密度是现有 G9 NAND 的 2 倍，I/O 速率最高提升 1.5 倍，数据传输能耗减少 25% 以上。该产品将支持 AI-class 数据中心应用，包括基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化设计和类似 HBF 的带宽优化设计。美光还展示了其 AI 优化存储解决方案。