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英飞凌宣布制造出全球首个300毫米碳化硅功率器件晶圆

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AI 综述

英飞凌宣布成功制造出全球首个300毫米(12英寸)碳化硅功率器件晶圆,并计划与客户合作推进该技术的量产。 该晶圆是在其奥地利菲拉赫工厂,利用现有的硅制造设备加工完成的。英飞凌称,这展示了大规模碳化硅晶圆的商业化潜力。 此外,其德国德累斯顿工厂已验证冷分片技术可用于12英寸碳化硅晶圆,据称可提升晶锭加工效率并减少材料损耗。

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11月10日
  1. IT之家
    英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

    英飞凌宣布成功将 300mm 碳化硅晶圆加工为功率半导体器件,基于其奥地利 Villach 晶圆厂现有硅制造设备。该技术展示了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力,并计划与客户合作推进 12 英寸 SiC 技术及量产。此外,其德国德累斯顿工厂已验证冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性,可提升晶锭到晶圆的加工效率并减少损耗。

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