英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆

英飞凌宣布成功将 300mm 碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，基于其奥地利 Villach 晶圆厂现有硅制造设备。该技术展示了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力，并计划与客户合作推进 12 英寸 SiC 技术及量产。此外，其德国德累斯顿工厂已验证冷分片技术在 12 英寸 SiC 上的可行性，可提升晶锭到晶圆的加工效率并减少损耗。