中国用DUV多重曝光造先进芯片致成本效率恶化

专家分析称，中国芯片制造商在无法获得ASML EUV光刻机的情况下，通过DUV光刻机配合多重曝光技术制造先进芯片，但这导致芯片尺寸增大、良率降低、制造时间延长和成本上升。 专家Chris Mack指出，多重曝光在四层以上时成本已高于EUV，且缺陷风险增加。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。