铭芯启睿完成1Gb RRAM芯片流片并推进验证

铭芯启睿完成首款1T4R结构的1Gb RRAM芯片流片，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成硬件纠错电路。该芯片基于28nm CMOS工艺，采用共享选择晶体管设计，实现大容量与高密度的协同突破。目前该芯片正在推进验证阶段，适用于片上非易失存储应用。

铭芯启睿完成基于 1TnR 技术路线的首款 1Gb RRAM 芯片“泰山一号”流片，采用 28nm CMOS 工艺及 1T4R 存储结构，存储密度达 30Mb / mm²，访问延时小于 20ns。芯片集成片上硬件纠错电路，实现大容量、高密度与高速读取的协同突破。公司成立于 2024 年 5 月，已获近亿元天使轮及超亿元 Pre-A 轮融资，正推进与上下游企业的联合攻关。