铭芯启睿完成首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片 正在推进验证

铭芯启睿完成首款1T4R结构的1Gb RRAM芯片流片，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成硬件纠错电路。该芯片基于28nm CMOS工艺，采用共享选择晶体管设计，实现大容量与高密度的协同突破。目前该芯片正在推进验证阶段，适用于片上非易失存储应用。