美光称4F² DRAM无扩展路径，转向3D DRAM并规划新工艺
热点事件持续更新
美光称4F² DRAM无扩展路径，转向3D DRAM并规划新工艺
1 篇报道1 个报道来源3 小时前更新
先了解这件事
AI 综述
美光在技术网络研讨会上表示，4F² DRAM因复杂度和成本问题缺乏可行的规模化路径，因此转向发展3D DRAM。 美光称，其第8代10nm级节点1ε将引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ将采用High NA EUV光刻，1δ工艺可带来约25%的存储密度提升并优化成本，将用于HBM5、vHBM等产品。
AI 根据报道生成 · 1 小时前更新
最新进展10月22日 09:31
美光认为 4F² DRAM 无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、ζÅ 用 High NA EUV报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月22日
- IT之家美光认为 4F² DRAM 无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、ζÅ 用 High NA EUV
美光在技术网络研讨会上指出，4F² DRAM 由于复杂度和成本问题缺乏可行的规模化路径，转而选择 3D DRAM 作为未来发展方向。第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术，第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 采用 High NA EUV 光刻，1δ 工艺可带来约 25% 的存储密度提升并优化成本，将用于 HBM5、vHBM 等产品。
本事件热度走势
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。