美光认为 4F² DRAM 无可行扩展路径，1ε 用晶圆键合、ζÅ 用 High NA EUV

美光在技术网络研讨会上指出，4F² DRAM 由于复杂度和成本问题缺乏可行的规模化路径，转而选择 3D DRAM 作为未来发展方向。第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术，第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 采用 High NA EUV 光刻，1δ 工艺可带来约 25% 的存储密度提升并优化成本，将用于 HBM5、vHBM 等产品。