英特尔公布EMIB和Foveros先进封装路线图进展
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英特尔公布EMIB和Foveros先进封装路线图进展
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AI 综述
英特尔公布了其EMIB和Foveros先进封装技术的路线图进展，显示其正在向更精细的25微米凸点间距和玻璃基板封装演进。 根据路线图，英特尔的EMIB技术发展使其能够将封装尺寸从本年代初的80×80毫米（4倍光罩尺寸）提升至如今的120×120毫米（约8倍光罩尺寸），并计划未来实现120×180毫米（12倍光罩尺寸）的更大系统级封装。
AI 根据报道生成 · 1 小时前更新
最新进展10月14日 20:50
分析 Intel 的 EMIB 和 Foveros 先进封装路线图报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- Tom's Hardware分析 Intel 的 EMIB 和 Foveros 先进封装路线图
Intel 的 EMIB 和 Foveros 先进封装技术已成为其高端 CPU 和 GPU 设计的关键部分，近期路线图显示 EMIB 正在向更精细的 25 µm Bump Pitch 和玻璃基板封装演进。
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