英伟达推动三星与台积电合作开发3纳米NVHBM基底芯片

英伟达为下一代AI加速器开发定制高带宽内存（NVHBM），要求三星、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，以实现性能一致和简化验证。 三星首次放弃HBM产品上的“交钥匙”模式，与台积电合作，同时保留自身代工产能作为备选。此举旨在提升供应效率并加快产品导入。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。