SK海力士推动iHBM技术量产
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SK海力士推动iHBM技术量产
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AI 综述
SK海力士正在推动其新一代iHBM技术进入量产阶段。 iHBM技术通过在HBM封装内部集成高导热硅基材料，直接导出热量，SK海力士称其热阻可降低约30%，从而提升芯片稳定性和性能。该方案基于现有MR-MUF封装工艺，具备量产可行性。
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最新进展10月21日 19:27
SK海力士加速部署iHBM技术 新一代HBM散热能力提升30%报道时间线
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10月21日
- cnBetaSK海力士加速部署iHBM技术 新一代HBM散热能力提升30%
SK海力士正在推动新一代iHBM技术进入量产阶段，该技术通过集成散热元件ICE将热阻降低约30%。iHBM在HBM封装内部引入高导热硅基材料，直接导出热点区域热量，提升芯片稳定性和性能。该方案基于现有MR-MUF封装工艺，具备量产可行性且兼容当前系统级封装架构。
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