MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

MemSilicon宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片，单芯片容量达1Gb，密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R结构，集成硬件纠错电路，实现大容量、高密度与高速读取的协同突破。公司围绕1TnR技术已推出多项创新电路方案，具备良好的产业化前景。