中微公司 Primo Domingo 全球首台付运，面向 GAA 与 3D DRAM 高选择性刻蚀

中微公司 Primo Domingo 气相高选择性刻蚀设备全球首台机已付运国内重要客户，该设备面向 GAA 晶体管与 3D DRAM 等三维器件工艺开发。其在实验室验证中实现了大于 700:1 的 SiGe/Si 选择比，但尚未完成客户端量产验证。中微公司称该设备填补了国内下一代 3D 半导体器件关键刻蚀工艺的自主化空白。