长鑫科技第六代DRAM平台完成工程样片验证
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长鑫科技第六代DRAM平台完成工程样片验证
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长鑫科技宣布其基于4F²垂直沟道架构的第六代DRAM技术平台已完成工程样片验证。 同时，其第五代工艺技术平台已实现量产，主要产品为采用245Ball和496Ball封装的LPDDR5X。
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最新进展10月31日 20:26
长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证报道时间线
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10月31日
- IT之家长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证
长鑫科技基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构的第六代技术平台已完成工程样片验证，第五代工艺技术平台已实现量产，主要推出 245Ball 和 496Ball 封装的 LPDDR5X 产品。
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