GlobalFoundries 公布 FDX Fusion 技术细节与量产计划
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GlobalFoundries 公布 FDX Fusion 技术细节与量产计划
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AI 综述
GlobalFoundries 高管称其 FDX Fusion 技术可在不使用 EUV 光刻或 FinFET 晶体管的情况下，实现 7nm 级性能与 8nm 级逻辑密度。 该技术基于 FD-SOI 工艺，采用平面晶体管和光学刻蚀，支持适应性体偏置，并集成了射频、模拟等功能，计划于 2028 年开始商业生产，2030 年实现高产量制造。
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最新进展11月6日 22:00
GlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion 技术：7nm 级性能无需 EUV 光刻报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
11月6日
- Tom's HardwareGlobalFoundries 高管详解 FDX Fusion 技术：7nm 级性能无需 EUV 光刻
GlobalFoundries 的 FDX Fusion 技术可实现 7nm 级性能与 8nm 级逻辑密度，无需 EUV 光刻或 FinFET 晶体管。该技术基于 FD-SOI 工艺，采用先进平面晶体管和光学刻蚀技术，支持适应性体偏置及高密度数字逻辑与射频、模拟、嵌入式存储功能。公司计划于 2028 年开始量产，并针对连接性、边缘推理和汽车雷达等应用场景进行优化。
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