佳能计划到2029年提升后端光刻机产能50%

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   IT之家

   消息称佳能计划到 2029 年将后端光刻机产能提升 50%

   佳能计划到 2029 年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升 50%。该企业正在开发用于先进封装工艺的 i 线光刻设备，并已研制出分辨率达 0.8μm 的大尺寸基板光刻机台，可处理 510×515mm 基板。佳能半导体设备事业部负责人表示，无掩膜直写图案化方案目前还不是 i 线光刻机在 RDL 生产领域的直接竞争对手。

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