日本理化学研究所实现硅量子比特高保真度并行控制

日本理化学研究所团队在硅自旋量子比特阵列中实现了高保真度的单量子比特门并行操作，五个量子比特在共享控制线路下的保真度均超过99.99%。 研究通过分析交流斯塔克位移效应并采用两两校准方案，补偿了并行控制时的相位误差，表明共享控制线路不必然导致精度大幅下降。该成果为硅基量子处理器的扩展提供了工程参考，但器件设计仍需优化以应对驱动诱导退相干等剩余误差。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。