三星12层HBM4E内存通过英伟达等客户质量验证

三星电子新一代12层HBM4E高带宽内存已通过英伟达及多家大型云服务商的客户质量验证，但尚未披露供货合同。该内存单堆栈容量为48GB，标准引脚速度14Gbps，理论带宽最高约4TB/s，三星计划按需扩展8层32GB和16层64GB版本。HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺和4纳米逻辑基底芯片，能效提升16%，热阻降低14%以上。

三星电子 12Hi HBM4E 内存已于 9 月末通过英伟达及主要超大规模数据中心企业的质量验证测试，但具体供货量、合同规模和出货时间尚未确定。该产品结合 1c nm DRAM Die 与 4nm Logic Die，单堆栈容量达 48GB，支持 14~16Gbps 引脚速率，实现 16% 能效提升和 14% 热阻改进。