英伟达下代Groq LPU芯片将转向3D堆叠DRAM
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英伟达下代Groq LPU芯片将转向3D堆叠DRAM
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AI 综述
英伟达计划在其下一代Groq LPU AI推理加速器芯片中，放弃当前的大容量SRAM缓存设计，转而采用基于TSV工艺的3D堆叠DRAM方案。 报道称，此举是因为SRAM容量较小且制程升级带来的密度提升有限，影响了大型模型的表现和芯片迭代。同样采用大SRAM技术路线的Cerebras公司，其未来的CS-6芯片也将采用3D垂直集成DRAM。
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最新进展10月21日 11:24
NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案报道时间线
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10月21日
- IT之家NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案
NVIDIA 下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片将采用基于 TSV 工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案，放弃当前一代的大容量 SRAM 缓存设计。SRAM 容量较小且制程升级密度收益有限，影响大型模型表现和芯片迭代。Cerebras 同样采用大 SRAM 技术路线，其未来 CS-6 芯片也将采用 3D 垂直集成 DRAM。
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