基辛格批评HBM是糟糕的内存
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基辛格批评HBM是糟糕的内存
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AI 综述
前英特尔CEO基辛格在接受a16Z专访时，批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与带宽受限等问题，称其为“糟糕的内存”。 韩国科学技术院的分析指出，当HBM功耗超过约30瓦时，物理层接口自身发热将成为主要热应力来源。
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最新进展10月14日 15:47
前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”报道时间线
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10月14日
- IT之家前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”
前英特尔 CEO 基辛格批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与“海岸线带宽”受限等问题，称其为“糟糕的内存”。HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位，但需要大量并行连接与微凸点，导致功耗与散热压力增加。韩国科学技术院分析指出，当 HBM 功耗超过约 30 瓦时，物理层接口自身发热将成为主要热应力来源。
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