Everspin演示CXL接口DDR4 MRAM模块
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Everspin演示CXL接口DDR4 MRAM模块
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AI 综述
Everspin Technologies在SNIA开发者大会上演示了其首款CXL接口的DDR4 MRAM模块。 该公司称，该模块旨在作为DRAM和NAND闪存之间的新型持久化存储层级，可实现比NVMe NAND SSD低100倍的延迟。
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最新进展10月6日 18:24
CXL-Connected MRAM Address AI Storage Latency报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月6日
- EE TimesCXL-Connected MRAM Address AI Storage Latency
Everspin Technologies 展示了其首款 CXL 接口 DDR4 MRAM 模块，可作为 DRAM 和 NAND 闪存之间的新型持久化存储层级，实现比 NVMe NAND SSD 低 100 倍的延迟。
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