消息称 SK 海力士 HBM4 良率已突破 70%，与三星、美光竞争下一代内存市场

SK 海力士 HBM4 内存良率已突破 70%，成为与三星、美光争夺下一代高带宽内存市场的重要变量。HBM4 通过垂直堆叠多个 DRAM 芯片提升数据处理速度和带宽，其生产流程复杂，良率直接影响制造成本和产能。SK 海力士在第三季度财报中称其 HBM4 良率处于行业领先水平，并已上调内部目标。