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长鑫技术新突破,融合 4F² 架构等先进技术的 DDR5 RDIMM 产品预计年底亮相

AI 导读

长鑫存储预计年底推出融合 4F² 架构的新一代 DDR5 RDIMM 产品,实现存储密度提升。该公司自成立以来启动 4F² 研究并布局超 300 件专利,相关论文分别发布于 2021 年、2023 年和 2025 年。4F² 架构相比行业主流 6F² 工艺需全新器件与工艺体系,长鑫在字线金属化、位线成型等关键工艺上完成深度优化。

来源:IT之家 · ithome.com