消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，提升数据中心 AI 半导体的读写带宽；zNAND-I 强调少量数据频繁读写操作中的表现，适用于 KV Cache 卸载等场景。三种 zNAND 产品各有专长，标志着 NAND 闪存正从通用型向定制化转型。